
Общие характеристики
Тип памяти	DDR3
Форм-фактор	DIMM 240-контактный
Тактовая частота	1066 МГц
Пропускная способность	8500 Мб/с
Объем	1 модуль 8 Гб
Поддержка ECC	есть
Буферизованная (Registered)	да
Низкопрофильная (Low Profile)	нет
Тайминги
CAS Latency (CL)	7
RAS to CAS Delay (tRCD)	7
Row Precharge Delay (tRP)	7
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля	36, двусторонняя упаковка
Напряжение питания	1.5 В
Количество ранков	4