Общие характеристики
Socket LGA2011-3
Ядро
Ядро Haswell-EP
Количество ядер 4
Техпроцесс 22 нм
Частотные характеристики
Тактовая частота 3700 МГц
Системная шина DMI
Коэффициент умножения 37
Напряжение на ядре 0.65 B
Встроенный контроллер памяти есть, полоса 68 Гб/с
Кэш
Объем кэша L1 64 Кб
Объем кэша L2 1024 Кб
Объем кэша L3 10240 Кб
Наборы команд
Поддержка Hyper-Threading есть
Инструкции MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSE4
Поддержка AMD64/EM64T есть
Поддержка NX Bit есть
Поддержка Virtualization Technology есть
Дополнительно
Типичное тепловыделение 140 Вт
Максимальная рабочая температура 66.2 °C
Поддержка Intel vPro есть
Дополнительная информация напряжение на ядре 0.65–1.30В