Оперативная память
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 12800 Мб/с
Объем 1 модуль 8 Гб
Поддержка ECC есть
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
CAS Latency (CL) 11
RAS to CAS Delay (tRCD) 11
Row Precharge Delay (tRP) 11
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля 18, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.5 В
Количество ранков 2