
Общие характеристики 
Тип памяти DDR3 
    
Форм-фактор DIMM 240-контактный 
    
Тактовая частота 1066 МГц 
    
Пропускная способность 8500 Мб/с 
    
Объем 1 модуль 16 Гб 
    
Поддержка ECC есть 
    
Буферизованная (Registered) да 
    
Низкопрофильная (Low Profile) нет 
    
Тайминги 
CAS Latency (CL) 7 
    
RAS to CAS Delay (tRCD) 7 
    
Row Precharge Delay (tRP) 7 
    
Дополнительно 
Количество чипов каждого модуля 36, двусторонняя упаковка 
    
Напряжение питания 1.5 В 
    
Радиатор есть 
    
Количество ранков 4