Общие характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность 10600 Мб/с
Объем 1 модуль 1 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
CAS Latency (CL) 8
RAS to CAS Delay (tRCD) 8
Row Precharge Delay (tRP) 8
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.5 В