Общие характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность 10666 Мб/с
Объем 2 модуля по 1 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
CAS Latency (CL) 9
RAS to CAS Delay (tRCD) 9
Row Precharge Delay (tRP) 9
Activate to Precharge Delay (tRAS) 27
Дополнительно
Напряжение питания 1.5 В