Общие характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 12800 Мб/с
Объем 1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
CAS Latency (CL) 8
RAS to CAS Delay (tRCD) 8
Row Precharge Delay (tRP) 8
Activate to Precharge Delay (tRAS) 24
Дополнительно
Напряжение питания 1.9 В
Радиатор есть
Дополнительная информация поддержка 1.95В Extended Voltage Protection