
Общие характеристики
Тип памяти 	DDR3	 
Форм-фактор 	DIMM 240-контактный	 
Тактовая частота 	1066 МГц 	 
Пропускная способность 	8500 Мб/с 	 
Объем 	2 модуля по 512 Мб 	 
Поддержка ECC 	нет 	 
Буферизованная (Registered) 	нет 	 
Низкопрофильная (Low Profile) 	нет 	 
Тайминги
CAS Latency (CL) 	7 	 
RAS to CAS Delay (tRCD) 	7 	 
Row Precharge Delay (tRP) 	7
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля 8, односторонняя упаковка	 
Напряжение питания 	1.5 В