Общие характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1066 МГц
Пропускная способность 8500 Мб/с
Объем 3 модуля по 2 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
CAS Latency (CL) 7
RAS to CAS Delay (tRCD) 7
Row Precharge Delay (tRP) 7
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.5 В