Общие характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность 10666 Мб/с
Объем 1 модуль 1 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
CAS Latency (CL) 7
RAS to CAS Delay (tRCD) 7
Row Precharge Delay (tRP) 7
Activate to Precharge Delay (tRAS) 20
Дополнительно
Напряжение питания 1.8 В
Радиатор есть
Дополнительная информация поддержка технологии Extended Voltage Protection