
Общие характеристики
Тип памяти 	DDR3
  	 
Форм-фактор 	DIMM 240-контактный
  	 
Тактовая частота 	1333 МГц
  	 
Пропускная способность 	10666 Мб/с
  	 
Объем 	2 модуля по 1 Гб
  	 
Поддержка ECC 	нет
  	 
Буферизованная (Registered) 	нет
  	 
Низкопрофильная (Low Profile) 	нет
  	 
Тайминги
CAS Latency (CL) 	9
  	 
RAS to CAS Delay (tRCD) 	9
  	 
Row Precharge Delay (tRP) 	9
  	 
Activate to Precharge Delay (tRAS) 	26
  	 
Дополнительно
Напряжение питания 	1.6 В
  	 
Радиатор 	есть
  	 
Дополнительная информация 	поддержка технологии Extended Voltage Protection